基于氧化物材料的电阻式随机存储器（RRAM）是一种全新的存储技术，具有低廉的价格、简单的结构、高的存储密度、快的数据擦写速度、低功耗以及与CMOS工艺兼容等优点，受到了广泛关注，有望成为新一代主流的非挥发性存储器。

中科院磁性材料与器件重点实验室李润伟研究团队较早地开展了RRAM 材料探索与器件研究工作，并取得了一系列重要的研究成果。鉴于此，应《Frontiers of Materials Science》编辑部特邀，撰写了综述性论文“Resistive switching effects in oxide sandwiched structures”，并作为封面文章发表。

在电场作用下，氧化物中导电细丝的通断是引起这类材料发生电阻转变的主要机制。该文基于导电丝模型，首先就其历史背景介绍了氧化物基RRAM的阻变行为，以及导电丝的通断过程。然后，结合本团队工作并在相关文献的基础上，对氧化物基RRAM中有关阻变效应的研究成果、存在的问题进行了分析和评述。主要包括导电丝的观测、表征方法，阻变行为的改善，以及RRAM中的量子电导行为等。最后，还对此工作进行了展望，为寻求新的突破点提供了有力支撑。

本文对于RRAM的研发具有重要的指导意义，论文发表在Front. Mater. Sci.（详细内容参见http://www.springerlink.com/openurl.asp?genre=article&id=doi:10.1007/s11706-012-0170-8，该研究工作获得了973子课题、国家自然科学基金（11174302）、国家重点基础研究项目（2012CB933004）宁波科技创新团队（2011B82004, 2009B21005）等项目支持。